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山西新闻网 · 于学忠 · 2026-0

山西新闻网 · 于学忠 · 2026-05-29 03:10:51 · 阅读1分钟

存储芯片股集体大涨,美光、闪迪带头新晋ETF大幅走高近日引发宽泛关注?,本文将从多个角度进行具体解读。

存储芯片股集体大涨,美光、闪迪带头新晋ETF大幅走高 —— 美国人为智能领域本钱开支热潮持续传导至闪迪、美光等一多存储芯片企业。

亚马逊等超大规模云厂商大举建设人为智能数据中心,市场对存储芯片的需要随之激增。人为智能模型必要海量数据支持高效运行,而存储芯片正是掌管数据存储与传输的主题器件。

美光科技运营掌管人马尼什?巴蒂亚上周在摩根大通进行的会议上暗示:“受持久结构性成分影响,当前市场需要持续超出企业及全行业的供货能力。

我们预计,高带宽内存(HBM)、动态随机存取存储器(DRAM)以及闪存(NAND)的供给严重局面,在 2026 年之后仍将持久一连。

存储芯片股集体大涨,美光、闪迪带头新晋ETF大幅走高

」佧体来看,存储芯片板块目前利好成分十足。

但高热度也意味着市场预期抬升、投资风险加大(近期美债收益率走高就曾引发板块短期抛售)。投资者需维持警惕,并做好资产分散配置。

美光、闪迪等存储芯片个股行情火热,也带头朗希尔存储芯片 ETF(代码 DRAM) 大涨。这只新晋 ETF 主打全面把握行业景气行情、赚取收益。

该 ETF 是全球首只纯存储芯片主题 ETF,于 4 月 2 日正式上市买卖。其前五大沉仓股均为 2026 年热点强势标的:SK 海力士、美光科技、三星电子、铠侠控股以及闪迪。

据《科比西快讯》统计,该产品上市至今涨幅约 85%,上市仅 30 个买卖日,资产规模就突破 100 亿美元,成为史上增长速度最快的 ETF。

在全美 5000 余只上市 ETF 中,它的年内资金流入规模跻身前十;买卖活跃度也从 5 月初的第 34 位攀升至全市场前 20。

有概想以为,存储芯片股集体大涨,美光、闪迪带头新晋ETF大幅走高还有较大的技术改进空间。

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