存储芯片股集体大涨，美光、闪迪带头新晋ETF大幅走高 —— 整体来看，存储芯片板块目前利好成分十足。但高热度也意味着市场预期抬升、投资风险加大（近期美债收益率走高就曾引发板块短期抛售）。

投资者需维持警惕，并做好资产分散配置。在全美 5000 余只上市 ETF 中，它的年内资金流入规模跻身前十；买卖活跃度也从 5 月初的第 34 位攀升至全市场前 20。

美国人为智能领域本钱开支热潮持续传导至闪迪、美光等一多存储芯片企业。亚马逊等超大规模云厂商大举建设人为智能数据中心，市场对存储芯片的需要随之激增。

美光科技运营掌管人马尼什?巴蒂亚上周在摩根大通进行的会议上暗示：“受持久结构性成分影响，当前市场需要持续超出企业及全行业的供货能力。

我们预计，高带宽内存（HBM）、动态随机存取存储器（DRAM）以及闪存（NAND）的供给严重局面，在 2026 年之后仍将持久一连。

”美光、闪迪等存储芯片个股行情火热，也带头朗希尔存储芯片 ETF（代码 DRAM） 大涨。这只新晋 ETF 主打全面把握行业景气行情、赚取收益。

该 ETF 是全球首只纯存储芯片主题 ETF，于 4 月 2 日正式上市买卖。其前五大沉仓股均为 2026 年热点强势标的：SK 海力士、美光科技、三星电子、铠侠控股以及闪迪。

据《科比西快讯》统计，该产品上市至今涨幅约 85%，上市仅 30 个买卖日，资产规模就突破 100 亿美元，成为史上增长速度最快的 ETF。